تولید حافظه‌‌ای که به یک صدم انرژی معمول نیاز دارد

پژوهشگران در دانشگاه Aice آمریکا حافظه‌ی حالت جامدی با توانایی ذخیره سازی تولید کردند.

 به نقل از سایت phys.org، دانشمندان به صورت عملی از اکسید تانتالم برای ساخت حافظه‌های متراکم با قدرت ذخیره سازی بالا استفاده کردند.

اکسید تانتالم عایق رایج در الکترونیک است، اعماق ولتاژ به یک ساندویچ گرافن، تانتالم، اکسید تانتالم نانوپروس و پلاتین، به ضخامت 250 نانومتر، بیت آدرس دهی در مکان لایحه‌های ایجاد می‌کند ولتاژ کنترل نیز یون‌های اکسیژن و حفره‌ها را جابجا می‌کند و سپس بیت‌ها را بین صفر و یک سوئیچ می‌کنند.

James tour شیمیدان دانشگاه rice می‌گوید: این حافظه‌های جدید امکان ذخیره‌ی 162 گیگا بایت، بسیار بیشتر از سیستم‌های حافظه مبتنی بر اکسیدهای دیگر را فراهم می‌کند.

همانند حافظه‌های اکسید سیلیکون، دستگاه‌های جدید هم نیازمند فقط دو الکترود در هر مدار هستند که آنها را از فلش مموری‌های حال حاضر، که به سه الکترود نیاز دارند، ساده‌تر می‌کند.

Tour معتقد است حافظه‌ها مبنی بر تانتالم برای تولید حافظه‌های متراکم و غیر فرار کامپیوتر مناسب است.

حافظه‌های غیر فرار داده‌های خود را حتی زمانی که خاموش هستند، نگه‌ می‌دارد، اما حافظه‌های فرار اطلاعات خود را از دست می‌دهند، تراشه‌ حافظه‌های جدید مزایای زیادی دارند، از جمله این که اطلاعات را با سرعت بالا می‌خوانند و ثبت می‌کنند و بیش از حد ممکن ذخیره می‌کنند همچنین این تراشه‌ها در زمان استفاده از حداقل قدرت، بالاترین عملکرد را دارد.

به گفته‌ی tour این طراحی جدید به 100رابر انرژی کمتری نسبت به دستگاه‌های حال حاضر نیاز دارد.

این محصول می‌تواند یک رقیب واقعی برای حافظه‌ها و سرورهای دیگر باشد.